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　　在OPGW光纜接續(xù)過程中，產(chǎn)生大衰耗點是經(jīng)常發(fā)生的，我們一般用OTDR(光時域反射儀)進行監(jiān)測，即每熔接一根光纖，都用OTDR測試一下熔接點的衰耗值，具體測試時，采用雙向監(jiān)測法，由于光纖制造過程中存在的差異性，兩根光纖不可能*一致，總是存在模場直徑不一致現(xiàn)象，從而導致了用OTDR所測的損耗值并不是接續(xù)點的實際損耗值，其數(shù)值有正有負，一般用雙向測試值的算術平均值作為實際衰耗值。在接續(xù)時，一般用實時監(jiān)測法，基本能保證熔接損耗達到控制目標，但經(jīng)常產(chǎn)生大損耗點的原因是在熔接完畢后進行光纖收容時，部分光纖受壓或彎曲半徑過小，即形成一個大衰耗點。因為1550nm波長的光纖對微彎損耗非常敏感，一旦受壓，即產(chǎn)生一個微彎點，或盤纖時，彎曲半徑過小，光纖信號在此處也產(chǎn)生較大的衰耗，表現(xiàn)在光纖后向散射曲線上，就形成了一個較大的衰耗臺階；另外，一個比較容易忽視的原因是OPGW光纜接頭盒組裝完成后，固定接頭盒和固定OPGW光纜時，由于OPGW光纜在接頭盒內(nèi)固定的不是很牢固，造成OPGW光纜擰轉(zhuǎn)，使光纖束管變形，由于光纖受壓，造成光纖衰耗值急劇增加，形成衰耗臺階。
 

　　OPGW光纜傳輸基于可用光在兩種介質(zhì)界面發(fā)生全反射的原理。突變型光纖,n1為纖芯介質(zhì)的折射率，n2為包層介質(zhì)的折射率,n1大于n2，進入纖芯的光到達纖芯與包層交界面(簡稱芯-包界面)時的入射角大于全反射臨界角θc時,就能發(fā)生全反射而無光能量透出纖芯，入射光就能在界面經(jīng)無數(shù)次全反射向前傳輸。原來當光纖彎曲時，界面法線轉(zhuǎn)向，入射角度小，因此一部分光線的入射角度變得小于θc而不能全反射。但原來入射角較大的那些光線仍可全反射，所以光纖彎曲時光仍能傳輸，但將引起能量損耗。通常，彎曲半徑大于50~100毫米時,其損耗可忽略不計。微小的彎曲則將造成嚴重的"微彎損耗"。
 

　　人們常用電磁波理論進一步研究光纖傳輸?shù)臋C制，由光纖介質(zhì)波導的邊界條件來求解波動方程。在光纖中傳播的光包含有許多模式，每一個模式代表一種電磁場分布，并與幾何光學中描述的某一光線相對應。光纖中存在的傳導模式取決于光纖的歸一化頻率ν值式中NA為數(shù)值孔徑，它與纖芯和包層介質(zhì)的折射率有關。ɑ為纖芯半徑，λ為傳輸光的波長。光纖彎曲時，發(fā)生模式耦合，一部分能量由傳導模轉(zhuǎn)入輻射模，傳到纖芯外損耗掉。